工程師總結(jié)：信號(hào)完整性設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)100條(二)_高都電子PCB技

51、 遠(yuǎn)端容性負(fù)載會(huì)增加信號(hào)的上升時(shí)間。10-90 上升時(shí)間約是(100xC)PS,其中C 的單位是PF。

　　52、如果突變的電容小于0.004XRT,則可能不會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。

　　53、 50 歐姆傳輸線中拐角的電容(Ff)是線寬(MIL)的2 倍。

　　54、容性突變會(huì)使50%點(diǎn)的時(shí)延約增加0.5XZ0XC。

　　55、如果突變的電感(NH)小于上升時(shí)間(NS)的10 倍，則不會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。

　　56、對(duì)上升時(shí)間少于1NS 的信號(hào)，回路電感約為10NH 的軸向引腳電阻可能會(huì)產(chǎn)生較多的反射噪聲，這時(shí)可換成片式電阻。

　　57、在50 歐姆系統(tǒng)中，需要用4PF 電容來(lái)補(bǔ)償10NH 的電感。

　　58、 1GHZ 時(shí)，1 盎司銅線的電阻約是其在DC 狀態(tài)下電阻的15 倍。

　　59、 1GHZ 時(shí)，8MIL 寬的線條的電阻產(chǎn)生的衰減與介質(zhì)此材料產(chǎn)生的衰減相當(dāng)，并且介質(zhì)材料產(chǎn)生的衰減隨著頻率變化得更快。

　　60、對(duì)于3MIL或更寬的線條而言，低損耗狀態(tài)全是發(fā)生在10MHZ頻率以上。在低損耗狀態(tài)時(shí)，特性阻抗以及信號(hào)速度與損耗和頻率無(wú)關(guān)。在常見(jiàn)的級(jí)互連中不存在由損耗引起的色散現(xiàn)象。

　　61、 -3DB 衰減相當(dāng)于初始信號(hào)功率減小到50%，初始電壓幅度減小到70%。

　　62、 -20DB 衰減相當(dāng)于初始信號(hào)功率減小到1%，初始電壓幅度減小到10%。

63、 當(dāng)處于趨膚效應(yīng)狀態(tài)時(shí)，信號(hào)路徑與返回路徑的單位長(zhǎng)度串聯(lián)約是(8/W)Xsqrt(f)(其中線寬W:MIL;頻率F:GHZ)。

　　64、 50 歐姆的傳輸線中，由導(dǎo)體產(chǎn)生的單位長(zhǎng)度衰減約是36/(Wz0)DB/IN。

　　65、 FR4 的耗散因子約是0.02。

　　66、 1GHZ 時(shí)，F(xiàn)R4 中由介質(zhì)材料產(chǎn)生的衰減約是0.1DB/IN，并隨頻率線性增加。

　　67、對(duì)于FR4 中的8MIL 寬、50 歐姆傳輸線，在1GHZ 時(shí)，其導(dǎo)體損耗與介質(zhì)材料損耗相等。

　　68、受損耗因子的制約，F(xiàn)R4 互連線(其長(zhǎng)是LEN)的帶寬約是30GHZ/LEN。

　　69、 FR4 互連線可以傳播的最短時(shí)間是10PS/INxLEN。

　　70、如果互連線長(zhǎng)度(IN)大于上升時(shí)間(NS)的50 倍，則FR4 介質(zhì)板中由損耗引起的上升邊退化是不可忽視的。

　　71、一對(duì)50 歐姆微帶傳輸線中，線間距與線寬相等時(shí)，信號(hào)線間的耦合電容約占5%。

　　72、一對(duì)50 歐姆微帶傳輸線中，線間距與線寬相等時(shí)，信號(hào)線間的耦合電感約占15%。

　　73、對(duì)于1NS 的上升時(shí)間，F(xiàn)R4 中近端噪聲的飽和長(zhǎng)度是6IN,它與上升時(shí)間成比例。

　　74、一跟線的負(fù)載電容是一個(gè)常數(shù)，與附近其他線條的接近程度無(wú)關(guān)。

　　75、對(duì)于50 歐姆微帶線，線間距與線寬相等時(shí)，近端串?dāng)_約為5%。

　　76、對(duì)于50 歐姆微帶線，線間距是線寬的2 倍時(shí)，近端串?dāng)_約為2%。

　　77、對(duì)于50 歐姆微帶線，線間距是線寬的3 倍時(shí)，近端串?dāng)_約為1%。

　　78、對(duì)于50 歐姆帶狀線，線間距與線寬相等時(shí)，近端串?dāng)_約為6%。

　　79、對(duì)于50 歐姆帶狀線，線間距是線寬的2 倍時(shí)，近端串?dāng)_約為2%。

　　80、對(duì)于50 歐姆帶狀線，線間距是線寬的3 倍時(shí)，近端串?dāng)_約為0.5%。

81、 一對(duì)50 歐姆微帶傳輸線中，間距與線寬相等時(shí)，遠(yuǎn)端噪聲是4%Xtd/rt。如果線時(shí)延是1ns,上升時(shí)間時(shí)0.5ns，則遠(yuǎn)端噪聲是8%。

　　82、一對(duì)50 歐姆微帶傳輸線中，間距是線寬的2 倍時(shí)，遠(yuǎn)端噪聲是2%Xtd/rt。如果線時(shí)延是1ns,上升時(shí)間時(shí)0.5ns，則遠(yuǎn)端噪聲是4%。

　　83、一對(duì)50歐姆微帶傳輸線中，間距是線寬的3 倍時(shí)，遠(yuǎn)端噪聲是1.5%Xtd/rt。如果線時(shí)延是1ns,上升時(shí)間時(shí)0.5ns，則遠(yuǎn)端噪聲是4%。

　　84、帶狀線或者完全嵌入式微帶線上沒(méi)有遠(yuǎn)端噪聲。

　　85、在50 歐姆總線中，不管是帶狀線還是微帶線，要使最懷情況下的遠(yuǎn)端噪聲低于5%，就必須保持線間距大于線寬的2 倍。

　　86、在50 歐姆總線中，線間距離等于線寬時(shí)，受害線上75%的竄擾來(lái)源于受害線兩邊鄰近的那兩跟線。

　　87、在50 歐姆總線中，線間距離等于線寬時(shí)，受害線上95%的竄擾來(lái)源于受害線兩邊距離最近的每邊各兩根線條。

　　88、在50 歐姆總線中，線間距離是線寬的2 倍時(shí)，受害線上100%的竄擾來(lái)源于受害線兩邊鄰近的那兩根線條。這是忽略與總線中其他所有線條間的耦合。

　　89、對(duì)于表面布線，加大相鄰信號(hào)線間的距離使之足以添加一個(gè)防護(hù)布線，串?dāng)_常常就會(huì)減小到一個(gè)可以接受的水平，而且這是沒(méi)必要增加防護(hù)布線。添加終端短接的防護(hù)布線可將串?dāng)_減小到50%。

　　90、對(duì)于帶狀線，使用防護(hù)線可以使串?dāng)_減小到不用防護(hù)線時(shí)的10%。

　　91、為了保持開(kāi)關(guān)噪聲在可以接受的水平，必須時(shí)互感小于2.5nhx 上升時(shí)間(ns)。

　　92、對(duì)于受開(kāi)關(guān)噪聲限制的接插件或者封裝來(lái)說(shuō)，最大可用的時(shí)鐘頻率是250MHZ/(NxLm)。其中，Lm 是信號(hào)/返回路徑對(duì)之間的互感(nh)，N 是同時(shí)開(kāi)館的數(shù)量。

　　93、在LVDS 信號(hào)中，共模信號(hào)分量是比差分信號(hào)分量達(dá)2 倍以上。

　　94、如果之間沒(méi)有耦合，差分對(duì)的差分阻抗是其中任意一個(gè)單端線阻抗的2倍。

　　95、一對(duì)50 歐姆微帶線，只要其中一跟線的電壓維持在高或低不變，則另一跟線的單端特性阻抗就與鄰近線的距離完全無(wú)關(guān)。

96、 在緊耦合差分微帶線中，與線寬等于線間距時(shí)的耦合相比，線條離得很遠(yuǎn)而沒(méi)有耦合時(shí)，差分特性阻抗僅會(huì)降低10%左右。

　　97、對(duì)于寬邊耦合差分對(duì)，線條間的距離應(yīng)至少比線寬大，這么做的目的是為了獲得可高達(dá)100 歐姆的查分阻抗。

　　98、 FCC的B級(jí)要求是，在100MHZ 時(shí)，3M遠(yuǎn)處的遠(yuǎn)場(chǎng)強(qiáng)度要小于150UV/M.

　　99、鄰近的單端攻擊次線在強(qiáng)耦合差分對(duì)上產(chǎn)生的差分信號(hào)串?dāng)_比弱耦合差分對(duì)上的少30%。

　　100、鄰近的單端攻擊次線在強(qiáng)耦合差分對(duì)上產(chǎn)生的共模信號(hào)串?dāng)_比弱耦合差分對(duì)上的多30%。

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