意法半導(dǎo)體推出世界首款驅(qū)動(dòng)與GaN集成產(chǎn)品

氮化鎵技術(shù)使電子設(shè)備能夠處理更多的功率，同時(shí)設(shè)備本身變得更小、更輕、更節(jié)能。這些改進(jìn)將改變智能手機(jī)的超快速充電器和無(wú)線充電器，個(gè)人電腦和游戲電腦的USB-PD緊湊型適配器，以及太陽(yáng)能存儲(chǔ)系統(tǒng)、不間斷電源或高端OLED電視和云服務(wù)器等工業(yè)應(yīng)用。

在當(dāng)今的氮化鎵市場(chǎng)上，通常采用分立功率晶體管和驅(qū)動(dòng)集成電路的方案，這需要設(shè)計(jì)人員學(xué)會(huì)如何使它們共同工作，以達(dá)到最佳性能。意法半導(dǎo)體的MasterGaN方案規(guī)避了這一挑戰(zhàn)，縮短了上市時(shí)間(651，275)，達(dá)到了預(yù)期的性能，同時(shí)使封裝更小更簡(jiǎn)單，電路元件更少，系統(tǒng)可靠性更高。憑借氮化鎵技術(shù)和意法半導(dǎo)體集成產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，新的充電器和適配器比普通的硅基解決方案小80%，輕70%。

ST新聞稿2020年10月10日—— 意法半導(dǎo)體推出全球首個(gè)驅(qū)動(dòng)器和GaN集成產(chǎn)品打造更小更快的充電器電源時(shí)代_清潔2.jpg

意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼模擬產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理馬特奧洛普雷斯特(Matteo  Lo  Presti)表示：“ST獨(dú)特的MasterGaN  產(chǎn)品平臺(tái)基于我們經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的專業(yè)知識(shí)和設(shè)計(jì)能力，集成了高壓智能功率BCD工藝和氮化鎵技術(shù)，可以加快發(fā)展節(jié)省空間、節(jié)能環(huán)保的產(chǎn)品。”

MasterGaN1是意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品平臺(tái)的第一個(gè)產(chǎn)品，集成了兩個(gè)半橋GaN功率晶體管和高低端驅(qū)動(dòng)芯片。

MasterGaN1現(xiàn)已量產(chǎn)，采用9mm  x  9mm  GQFN封裝，厚度僅為1mm。

意法半導(dǎo)體還提供了產(chǎn)品評(píng)估板，幫助客戶快速啟動(dòng)電源產(chǎn)品項(xiàng)目。

技術(shù)細(xì)節(jié)：

MasterGaN平臺(tái)借用意法半導(dǎo)體公司的stdrive  600v  柵極驅(qū)動(dòng)芯片和GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)。9mm  x  9mm  GQFN薄封裝確保高功率密度，專為高電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。高低壓墊之間的爬電距離大于2mm。

產(chǎn)品系列有多種不同RDS(ON)的GaN晶體管，以引腳兼容半橋產(chǎn)品的形式提供，方便工程師成功升級(jí)現(xiàn)有系統(tǒng)，盡量少改動(dòng)硬件。在高端高能效拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，如帶源箝位的反激式或正激式轉(zhuǎn)換器、諧振轉(zhuǎn)換器、無(wú)橋圖騰柱PFC(功率因數(shù)校正器)，以及交流/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/交流逆變器中使用的其他軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，產(chǎn)品由于其低傳導(dǎo)損耗和無(wú)體二極管恢復(fù)兩個(gè)特性，可以提供出色的能效和更高的整體性能。

MasterGaN1有兩個(gè)具有精確匹配時(shí)序參數(shù)的常關(guān)晶體管，最大額定電流為10A，導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為150。邏輯輸入引腳兼容3.3V至15V的信號(hào)，并配有綜合保護(hù)功能，包括高低壓側(cè)UVLO欠壓保護(hù)、互鎖功能、特殊引腳關(guān)閉和過(guò)熱保護(hù)。