應(yīng)用材料公司推出用于先進存儲器和邏輯芯片的新型刻蝕系

應(yīng)用材料公司的centricy  3y  刻蝕系統(tǒng)可以使芯片制造商在尺寸更小的尖端存儲器和邏輯芯片上成像和成型

新的centrisym  3？y是刻蝕應(yīng)用材料公司最先進的導(dǎo)體系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新的射頻脈沖技術(shù)，為客戶提供極高的材料選擇性、深度控制和剖面控制，使他們能夠在3D  NAND、動態(tài)隨機存取存儲器和邏輯節(jié)點(包括finfet和新興的環(huán)繞柵極架構(gòu))中創(chuàng)建密集排列的高縱橫比結(jié)構(gòu)。

Sym3系列成功的關(guān)鍵在于其獨特的技術(shù)特點：高電導(dǎo)反應(yīng)室架構(gòu)可提供特殊的刻蝕剖面控制，快速有效地排出每個晶圓制程中產(chǎn)生的刻蝕對產(chǎn)品。Sym3 Y系統(tǒng)使用專有的新涂層材料來保護關(guān)鍵的空腔組件，這擴展了這種成功架構(gòu)的優(yōu)勢，從而進一步減少缺陷并提高產(chǎn)量。

SYM3 刻蝕系統(tǒng)于2015年首次推出，現(xiàn)在已經(jīng)成為應(yīng)用材料公司歷史上最快的市場占領(lǐng)者產(chǎn)品。到目前為止，Sym3反應(yīng)室出貨數(shù)量已達5000個。

應(yīng)用材料公司的戰(zhàn)略是為客戶提供新的材料成型和成像方法，實現(xiàn)新的三維結(jié)構(gòu)，為2D繼續(xù)小型化開辟新的途徑。Sym3系列是實現(xiàn)這個策略的關(guān)鍵產(chǎn)品。應(yīng)用材料有限公司采用獨特的化學(xué)氣相沉積(CVD)涂層技術(shù)，協(xié)同優(yōu)化Sym3系統(tǒng)，使客戶能夠增加3D  NAND存儲器件的層數(shù)，減少動態(tài)隨機存取存儲器制造中四重成型所需的步驟。應(yīng)用材料公司將把上述技術(shù)與其電子束檢測技術(shù)一起部署，加快研發(fā)速度，大規(guī)模實現(xiàn)最先進節(jié)點行業(yè)的輸出斜坡，從而幫助客戶提高芯片功耗，增強芯片性能，降低單位面積成本，加快上市時間(PPACt)。

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理穆昆德斯里尼瓦桑博士說：“應(yīng)用材料公司在2015年推出Sym3系統(tǒng)時，采用了新的方法導(dǎo)體刻蝕，解決了3D  NAND和DRAM中一些最棘手的刻蝕問題。如今，在最先進的內(nèi)存和鑄造邏輯節(jié)點中，關(guān)鍵的刻蝕和極紫外(EUV)圖形應(yīng)用顯示出強勁的發(fā)展勢頭和增長。未來我們會繼續(xù)升級，幫助行業(yè)發(fā)展到下一代芯片設(shè)計。”

每個Sym3 Y系統(tǒng)包括多個刻蝕和等離子清洗晶片工藝反應(yīng)室，由智能系統(tǒng)控制，以確保每個反應(yīng)室具有一致的性能，從而實現(xiàn)穩(wěn)定的工藝和高生產(chǎn)率。世界各地與非門、動態(tài)隨機存取存儲器和cast邏輯節(jié)點的許多領(lǐng)先客戶都在使用這一新系統(tǒng)。