Nexperia宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

2020-11-09 10:00:00

2020年6月8日：半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的大容量生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管。新設(shè)備包括兩個(gè)包，TO-247和Nexperia的獨(dú)家CCPAK。它們都實(shí)現(xiàn)了更好的切換和導(dǎo)通性能，并且具有更好的穩(wěn)定性。由于級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)和器件參數(shù)的優(yōu)化，Nexperia氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管不需要復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)和控制，應(yīng)用設(shè)計(jì)大大簡(jiǎn)化；它們也可以使用標(biāo)準(zhǔn)硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)器輕松驅(qū)動(dòng)。

新的氮化鎵技術(shù)使用穿透外延層的通孔，減少了缺陷，并將芯片尺寸減小了約24%。TO-247封裝的新器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)降至僅41m(最大值，25時(shí)典型值為35m)，具有較高的柵極閾值電壓和較低的反向?qū)妷?。CCPAK封裝的新器件進(jìn)一步將導(dǎo)通電阻值降至39 m(最大值，25時(shí)典型值為33 m)。兩種封裝中的新器件都符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，能夠滿足汽車應(yīng)用的要求。

耐視氮化鎵戰(zhàn)略營(yíng)銷總監(jiān)迪爾德喬杜里(Dilder Chowdhury)表示：“客戶需要3000萬(wàn)至4000萬(wàn)的導(dǎo)通電阻？650伏高性價(jià)比高功率轉(zhuǎn)換新設(shè)備。相關(guān)應(yīng)用包括電動(dòng)汽車車載充電器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和發(fā)動(dòng)機(jī)牽引逆變器；以及1.5~5kW鈦工業(yè)電源，如：機(jī)架式電信設(shè)備、5G設(shè)備、數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。Nexperia繼續(xù)投資氮化鎵開(kāi)發(fā)，并利用新技術(shù)產(chǎn)品擴(kuò)大其投資組合。首先，我們?yōu)殡娫茨K制造商提供傳統(tǒng)的TO-247封裝器件和裸芯片，然后提供我們的高性能CCPAK芯片封裝器件。”

在Nexperia的CCPAK貼片封裝中，創(chuàng)新的銅夾封裝技術(shù)用于替換內(nèi)部封裝引線。這可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和散熱性能，并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件有頂部或底部散熱配置，這使得它們更加通用，有助于進(jìn)一步改善散熱。