Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%

2020-11-10 15:22:41

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的大容量生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET 產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適合移動和便攜應(yīng)用產(chǎn)品，包括可穿戴設(shè)備。它們還提供低導(dǎo)通電阻RDS(開)，并使用通常的0.35毫米間距，從而簡化了印刷電路板組裝過程。

PMH系列MOSFET采用DFN0606封裝，僅占0.62 x 0.62 mm，比上一代DFN1006器件節(jié)省36%以上的空間。由于先進(jìn)的工藝流程，這些新器件提供了低導(dǎo)通電阻RDS(on)，與競爭對手產(chǎn)品相比，降低了60%以上。它們還具有出色的靜電放電性能，超低VGS電壓閾值低至0.7伏。該參數(shù)對于驅(qū)動電壓較低的便攜式產(chǎn)品應(yīng)用非常重要。

Nexperia 產(chǎn)品經(jīng)理Sandy Wang 評論表示：“新一代可穿戴設(shè)備不斷突破消費(fèi)電子技術(shù)的界限。智能手機(jī)、智能手表、健身追蹤器等創(chuàng)新技術(shù)的演進(jìn)，要求小型化的MOSFET提供領(lǐng)先的性能和效率，從而實(shí)現(xiàn)越來越復(fù)雜的功能。Nexperia具有較高的生產(chǎn)能力和制造能力，可以擴(kuò)大生產(chǎn)，最大限度地滿足市場需求。”