Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET

2020-11-20 09:20:40

日前，Vishay Intertechnology，Inc .宣布推出一款小型熱增強(qiáng)型PowerPAK？1212-8SCD封裝新的公共漏極雙n 溝道60v金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)界最低的RS-S(ON) 60 V共漏器件，專門(mén)用于提高電池管理系統(tǒng)、直列式和無(wú)線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和電源的功率密度和效率。

最近發(fā)布的雙MOSFET RS-S(ON)典型值在10V時(shí)低至10 mW，是3mm x 3mm封裝中導(dǎo)通電阻最低的60 V器件，比該封裝尺寸中排名第二的產(chǎn)品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。

從而降低功率通道壓降，降低功耗，提高效率。為了提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2(ON)面積積比排名第二的替代MOSFET低46.6%，甚至包括更大的6mm5mm封裝解決方案。

為了節(jié)省PCB空間，減少元器件數(shù)量，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，器件采用優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，兩個(gè)單片集成的挖溝機(jī)？第四代n-溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN的源極觸點(diǎn)并排布置，與傳統(tǒng)的雙封裝器件相比，增加了印刷電路板的接觸面積，進(jìn)一步降低了電阻率。這種設(shè)計(jì)使金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管適用于24伏系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用的雙向開(kāi)關(guān)，包括工廠自動(dòng)化、電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、白色家電、機(jī)器人、安全/監(jiān)控和煙霧報(bào)警器。