最近,世界領(lǐng)先的半導體制造設(shè)備和服務(wù)供應(yīng)商泛林集團宣布了一項新的解決方案,幫助客戶提高芯片存儲密度,以滿足人工智能和機器學習等應(yīng)用的需求。泛林集團進一步擴大了壓力管理產(chǎn)品產(chǎn)品組合,引進了背膜沉積設(shè)備VECTOR DT和去除背膜和邊緣膜的濕刻蝕設(shè)備EOS GS。
高縱橫比沉積和刻蝕工藝是實現(xiàn)3D NAND技術(shù)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。隨著工藝層數(shù)的增加,累積的物理應(yīng)力越來越大。如何控制由此引起的晶圓翹曲成為制造過程中的一大挑戰(zhàn)。嚴重的晶圓翹曲會影響光學刻焦深,層間的對準,甚至導致圖形結(jié)構(gòu)的扭曲,從而降低產(chǎn)品的良率。為了提高整體良率,需要對整個制造過程中多個步驟的晶圓、芯片、圖形層面的應(yīng)力進行精心管理,甚至放棄一些可以提高產(chǎn)品性能的工藝步驟。
VECTOR DT系統(tǒng)是泛林集團等離子體增強化學氣相沉積(PEVD)產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品產(chǎn)品,旨在為3D NAND制造中控制晶圓翹曲提供一種經(jīng)濟高效的解決方案。VECTOR DT完全不接觸晶圓正面,可以在晶圓背面沉積一層可調(diào)、高應(yīng)力、高質(zhì)量的薄膜,一步平整翹曲的晶圓,提高光刻效果,減少翹曲帶來的諸多問題。VECTOR DT從一開始就被廣泛使用。隨著主流3D NAND 產(chǎn)品推進到96層以上,機器安裝數(shù)量將繼續(xù)增加。
除了沉積高應(yīng)力薄膜,泛林集團還提供回刻蝕,技術(shù),使客戶可以根據(jù)工藝要求靈活調(diào)整3D NAND制造過程中的晶圓應(yīng)力。泛林集團的濕刻蝕產(chǎn)品EOS GS具有業(yè)界領(lǐng)先的濕刻蝕均勻性,可以去除背面和邊緣的薄膜,同時充分保護晶圓正面,從而形成對VECTOR DT的有力補充。作為晶圓翹曲管理解決方案的一部分,泛林集團的EOS GS也被全球存儲芯片制造商廣泛采用。