Vishay推出的新款60 V MOSFET是業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路

2020-12-02 10:05:58

最近，Vishay Intertechnology，Inc .宣布推出新的60 V挖溝機(jī)第四代N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管SiSS22DN，這是業(yè)界第一款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件。10伏時(shí)的最大導(dǎo)通電阻降至4毫瓦，采用熱增強(qiáng)型3.3毫米x 3.3毫米PowerPAK 1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞男屎凸β拭芏?。柵極電荷只有22.5毫微秒，而且它的輸出電荷很低。

與邏輯電平為60 V的器件不同，SiSS22DN提高了典型的VGS(th)和米勒(th)平臺(tái)電壓，適用于柵極驅(qū)動(dòng)電壓高于6 v的電路。器件的最佳動(dòng)態(tài)特性縮短了死區(qū)時(shí)間，防止了同步整流應(yīng)用中的擊穿。SiSS22DN在業(yè)界的低導(dǎo)通電阻比排名第二的產(chǎn)品低4.8%——堪比領(lǐng)先的邏輯電平器件——QOSS為34.2 nC，QOSS和導(dǎo)通電阻的乘積，即在零電壓開關(guān)(ZVS)或開關(guān)設(shè)備拓?fù)涞墓β兽D(zhuǎn)換設(shè)計(jì)中，MOSFET的重要品質(zhì)系數(shù)(FOM)達(dá)到最佳水平。為了實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，與6 mm x 5 mm封裝的類似解決方案相比，該器件節(jié)省了65%的印刷電路板空間。

SiSS22DN的技術(shù)指標(biāo)有所提高，調(diào)整后導(dǎo)通和開關(guān)損耗降至最低，使多個(gè)電源管理系統(tǒng)組件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率，包括交流/DC和DC/DC拓?fù)涞耐秸鳌C/DC變換器的主側(cè)開關(guān)、器半橋MOSFET功率級的降壓升壓轉(zhuǎn)換、通信和服務(wù)器電源或功能、電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制和電路保護(hù)、電池保護(hù)和電池管理模塊的充電。