富士通電子將自9月推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品

2020-12-03 09:34:05

富士通電子元件(上海)有限公司今天宣布，推出業(yè)界密度最高的8兆位ReRAM(注1)-“MB 85 as 8mt”。ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通和松下半導(dǎo)體解決方案有限公司共同開發(fā)(注2)，將于今年9月供貨。MB85AS8MT是一款帶SPI接口、兼容EEPROM的非易失性存儲器，可在1.6 ~ 3.6伏的寬電壓范圍內(nèi)工作。它的一個特點是極低的平均電流，在5MHz工作頻率下讀取數(shù)據(jù)只需要0.15毫安，使需要電池供電且經(jīng)常讀取數(shù)據(jù)的設(shè)備達(dá)到最低功耗。MB85AS8MT采用非常小的晶圓級封裝(WL-CSP)，因此非常適合需要電池電源的小型可穿戴設(shè)備，包括助聽器、智能手表和智能手環(huán)。

MB85AS8MT的三大特點及相關(guān)應(yīng)用

富士通電子提供各種鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)(注3) 產(chǎn)品，可以提供比EEPROM和閃存更高的寫入電阻時間和更快的寫入速度。富士通電子的FRAM 產(chǎn)品以其最好的非易失性存儲器而聞名，尤其是需要經(jīng)常記錄和保護(hù)寫入的數(shù)據(jù)，以避免因突然斷電而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)丟失。然而，與此同時，一些客戶需要更低的電流來讀取內(nèi)存，因為他們的應(yīng)用程序只需要少量的寫入，但他們讀取數(shù)據(jù)非常頻繁。

為了滿足這一需求，富士通電子專門開發(fā)了一種新型非易失性隨機(jī)存儲器“MB85AS8MT”，它具有“高密度位存取”和“低讀取電流”的特點。它是世界上密度最高的8Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品，采用SPI接口，支持1.6到3.6伏的大范圍電壓，包括指令和時序在內(nèi)的電氣規(guī)格與EEPROM 產(chǎn)品兼容。

“MB85AS8MT”最大的特點是，即使擁有超高的密度，仍然可以實現(xiàn)極小的平均讀取電流。例如，在5兆赫茲的工作頻率下，平均讀取電流為0.15毫安，僅為高密度EEPROM器件所需電流的5%。

因此，在需要由電池供電的產(chǎn)品中，以及在需要頻繁讀取數(shù)據(jù)的應(yīng)用中，例如特定程序讀取或設(shè)置數(shù)據(jù)讀取，通過該存儲器的超低讀取電流特性，產(chǎn)品可以大大降低電池的功耗。

在5兆赫茲的工作頻率下，MB85AS8MT的平均讀取電流僅為高密度EEPROM器件的5%

除了提供EEPROM兼容的8引腳小外形封裝(SOP)外，還可以提供2mm x 3mm超小型11引腳WL-CSP，適合安裝在小型可穿戴設(shè)備中。

MB85AS8MT還可以提供2毫米x 3毫米的超小型11引腳WL-CSP

高密度內(nèi)存、低功耗的MB85AS8MT采用極小的封裝規(guī)格，是助聽器、智能手表、智能手環(huán)等需要電池供電的小型可穿戴設(shè)備最適合的內(nèi)存。