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CISSOID在紐倫堡PCIM 2019展會上展出新款高溫柵極驅(qū)動器、碳化

2020-12-17 09:58:22
在2020歐洲電力電子和智能傳輸產(chǎn)品展覽會(PCIM  2020)上,作為行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,中芯國際展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模塊。PCIM  2020是世界領(lǐng)先的電力電子、智能傳輸、可再生能源和能源管理展覽和會議。
CISSOID推出了一種新的柵極驅(qū)動器板,該板針對額定溫度為125C(環(huán)境溫度)的62毫米碳化硅MOSFET功率模塊進行了優(yōu)化。該板基于CISSOID的HADES柵極驅(qū)動芯片組,還可以驅(qū)動IGBT功率模塊,同時可以為汽車和工業(yè)應(yīng)用中高密度功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計提供散熱空間。支持高頻(100KHz)和快速碳化硅MOSFET開關(guān)(dV/dt  50KV/s),可以提高功率變換器的效率,減小尺寸和重量。該板專為惡劣電壓環(huán)境設(shè)計,支持1200V和1700V電源模塊驅(qū)動。隔離電壓高達3600V(經(jīng)過50Hz和1分鐘耐壓測試),爬電距離為14 mm,欠壓閉鎖(UVLO)、有源米勒箝位(AMC)和去飽和檢測等保護功能可以保證電源模塊在故障情況下安全驅(qū)動和可靠保護。“這種新的碳化硅柵極驅(qū)動板是多年來與汽車、運輸和航空航天市場行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作開發(fā)的成果。它結(jié)合了CISSOID在碳化硅器件方面的專業(yè)知識和設(shè)計適應(yīng)惡劣環(huán)境的芯片和電子系統(tǒng)的長期經(jīng)驗。”CISSOID工程副總裁Etienne  Vanzieleghem說。
在紐倫堡,中芯國際還展示了最新的碳化硅場效應(yīng)晶體管器件和IGBT功率模塊。一種新型的分立1200伏/40歐姆碳化硅場效應(yīng)晶體管已經(jīng)上市,它被封裝在TO-247中,可以在-55到175的溫度范圍內(nèi)正常工作.場效應(yīng)晶體管在25C(結(jié)溫)時的漏極至源極電阻為40歐姆,在175C(結(jié)溫)時的導(dǎo)通電阻為75歐姆。低開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷能量(分別為1mJ和0.4mJ)使該器件成為高效緊湊的DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率逆變器和電池充電器的理想選擇。CISSOID還展示了兩個62毫米1200伏IGBT功率模塊,額定電流分別為200安和300安。
CISSOID也在致力于碳化硅MOSFET功率模塊的開發(fā),將在未來幾個月推出。“這些新的產(chǎn)品表明,中電投致力于提供基于碳化硅的全面解決方案,包括晶體管、模塊和柵極驅(qū)動器,以支持行業(yè)在新電動汽車和可再生能源應(yīng)用中使用高效、輕質(zhì)和緊湊的功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品,”中電投首席執(zhí)行官戴夫赫頓(Dave  Hutton)表示。“我們正與汽車制造商和汽車零部件供應(yīng)商密切合作,為新能源汽車應(yīng)用新型碳化硅功率逆變器定制柵極驅(qū)動器。”他補充道。

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