UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個SiC FET

這些新設備可以提供新水平的高壓電源性能，適用于快速增長的數(shù)據(jù)中心服務器電源、5G基站電信整流器、電動汽車充電器等應用。這些新器件將對設計工程師非常有吸引力，他們?nèi)匀幌矚g使用3引腳、TO220或D2PAK封裝選項，但也在努力提高功率因數(shù)校正電路、LLC諧振轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的功率性能。

美國集成電路的UJ3C和UF3C場效應晶體管產(chǎn)品系列在真正的“直接替代”功能方面是獨一無二的。通過將現(xiàn)有的硅IGBT、硅場效應晶體管、碳化硅場效應晶體管或硅超結(jié)器件替換為集成場效應晶體管，設計者可以在不改變柵極驅(qū)動電壓的情況下顯著提高系統(tǒng)性能。

兩個系列的碳化硅場效應晶體管基于UnitedSiC獨特的“共源共柵”電路配置，其中常開碳化硅JFET與單金屬氧化物半導體場效應晶體管封裝在一起，可以構(gòu)建具有標準柵極驅(qū)動特性的常關碳化硅場效應晶體管器件。因此，現(xiàn)有系統(tǒng)在升級為美國集成電路“直接替代”場效應晶體管后，性能將有很大提高，傳導和開關損耗更低，熱性能增強，集成柵極靜電放電保護。如果是新的設計，聯(lián)合集成電路場效應晶體管可以提供更高的開關頻率，這帶來了顯著的系統(tǒng)優(yōu)勢，可以實現(xiàn)更高的效率，并且可以減小磁性元件和電容器等無源元件的尺寸和成本。

行業(yè)標準三引腳TO220-3L封裝可以通過美國集成電路公司的燒結(jié)銀封裝技術提供增強的熱特性。新封裝產(chǎn)品包括RDS(開)值為30和80的UJ3C器件，以及RDS(開)規(guī)格為40的UF3C器件。

三引線行業(yè)標準D2PAK-3L封裝是為表面安裝而設計的，并已通過了IPC和JEDEC的濕度靈敏度1級認證。新封裝產(chǎn)品包括RDS(on)規(guī)格為30和80的UJ3C器件，以及RDS(on)規(guī)格為30和40的UF3C器件。