ATDF公司和惠普公司最近展示了45納米多柵場效應晶體管的技術節(jié)點
先進的半導體器件MuGFET的技術能力最終可能會取代傳統(tǒng)的CMOS晶體管。
ATDF在惠普測試芯片部門的協(xié)助下生產(chǎn)這種半導體,該部門用它來建立測試芯片的基礎設施
和項目管理技術,以協(xié)助ATDF滿足非凡的設計和交付要求的標記。
隨著MuGFET開發(fā)項目第一階段的結束,ATDF可以用于任何需要采用這項技術的公司
該公司將提供測試芯片。其他項目實施階段將解決演示實驗中的制造問題,如mosfet下降。
與傳統(tǒng)的互補金屬氧化物半導體器件相比,金屬氧化物半導體場效應晶體管被認為是符合摩爾定律和國際要求的
ITRS要求的可選設備。