刻蝕是半導(dǎo)體制造業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)??涛g通過物理或化學(xué)方法去除硅晶片表面上不必要的材料,以便正確地將掩模圖案復(fù)制到涂覆的硅晶片上。
刻蝕進(jìn)程需要刻蝕機(jī)器?,F(xiàn)在,雖然中國(guó)在光刻機(jī)領(lǐng)域難以突破,但在刻蝕機(jī)器領(lǐng)域已經(jīng)有所突破。
中微半導(dǎo)體是刻蝕,的龍頭企業(yè),由尹志堯于2004年創(chuàng)立。
尹志堯是半導(dǎo)體領(lǐng)域的大人物,已經(jīng)為英特爾和應(yīng)用材料等巨頭工作了20多年。目前,應(yīng)用材料在全球刻蝕機(jī)械市場(chǎng)排名第三,份額為19%。
中微半導(dǎo)體5納米刻蝕機(jī)成功進(jìn)入臺(tái)積電生產(chǎn)線
因此,尹志堯擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。當(dāng)時(shí),有30多個(gè)精英團(tuán)隊(duì)與尹志堯一起回國(guó)。在這群人的共同努力下,中微半導(dǎo)體一直在深入挖掘中等刻蝕的領(lǐng)域,成為行業(yè)內(nèi)新的黑馬。
經(jīng)過十多年的堅(jiān)持,中微半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)了從65納米到最先進(jìn)的5納米的突破。此外,中微半導(dǎo)體的5納米刻蝕機(jī)已成功進(jìn)入臺(tái)積電生產(chǎn)線
因此,中微半導(dǎo)體成為mainland China本地設(shè)備制造商中唯一被臺(tái)積電認(rèn)可的制造商。
中微半導(dǎo)體的這一系列成就給美國(guó)帶來(lái)了壓力。為了搶占中國(guó)市場(chǎng),2015年,美國(guó)商務(wù)部解除了對(duì)中國(guó)等離子刻蝕設(shè)備的出口管制。
中微半導(dǎo)體的突破與其對(duì)R&D的重視密不可分.
根據(jù)IPRdaily和incoPat近日聯(lián)合發(fā)布的“科創(chuàng)板225家上市公司有效發(fā)明專利名單”,中微半導(dǎo)體排名第六,全球發(fā)明專利,共有1142家,數(shù)量可觀。
中微半導(dǎo)體每年都投入大量資金進(jìn)行研發(fā),2019年公司在R&D投資4.25億元.今年,公司收入為19.47億元,R&D投資約占收入的21.8%。
這個(gè)比例堪比很多海外科技巨頭。憑借在R&D的巨額投資,中微半導(dǎo)體可以如此迅速地取得輝煌的突破。
目前,中微半導(dǎo)體的性能不斷提高。根據(jù)中微半導(dǎo)體2020年度業(yè)績(jī)預(yù)測(cè),歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)同比至少增長(zhǎng)133.34%,達(dá)到4.4-5.2億元。
中微半導(dǎo)體的迅速崛起引起了人們的關(guān)注。但也要認(rèn)識(shí)到,目前公司規(guī)模有限,很難與半導(dǎo)體巨頭競(jìng)爭(zhēng)。
而且,刻蝕全球設(shè)備市場(chǎng)處于寡頭壟斷狀態(tài),盤林半導(dǎo)體、TEL、應(yīng)用材料三大巨頭占據(jù)了行業(yè)內(nèi)近91%的市場(chǎng)。這給中微半導(dǎo)體的發(fā)展帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
此外,刻蝕設(shè)備更新速度快,所以中微半導(dǎo)體必須不斷克服,保持技術(shù)領(lǐng)先。