分立器件、MOSFET器件以及模擬和邏輯器件的生產(chǎn)專家今天宣布推出PESD2V8R1BSF,這是業(yè)界首款專門針對USB4TM標準開發(fā)的靜電放電保護器件,具有行業(yè)領(lǐng)先的射頻性能。新器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)和有源可控硅(SCR)技術(shù),USB4TM和Thunderbolt的接口設(shè)計工程師會特別感興趣。該器件可以實現(xiàn)非常低的電容(低至0.1 pf);非常低的箝位電壓動態(tài)電阻低至0.1?)和非常強大的抗浪涌和靜電放電性能(最高20A 8/20 s)。PESD2V8R1BSF采用超低電感SOD962封裝。
Nexperia 產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider 評論說:“為了避免信號完整性問題,PESD2V8R1BSF ESD保護二極管提供極低的插入損耗和相應(yīng)的低回波損耗,在10 GHz時分別為-0.21 dB和-17.4 dB。靜電放電保護裝置可以滿足USB 3.2更高的電壓要求。這意味著設(shè)備可以放在USB Type-C?在連接器后面,它用于保護耦合電容,同時仍然向后兼容USB3.2。”
TrEOS保護二極管封裝在非常緊湊和可靠的DSN0603-2 (SOD962)中。這種廣泛使用的0603尺寸可以帶來許多優(yōu)點,包括極低的電感、快速保護和集成到無焊線的單片電路中,從而降低機械應(yīng)力和熱應(yīng)力